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传三星西安厂明年量产3-bit V-NAND flash、月产70万片 [1P]

[color=#333333][font=Georgia,][img]http://www.moneydj.com/z/sjn/jpg/GetNewsRptjpg.djjpg?a=145903[/img][/font][/color]
[color=#333333][font=Georgia,]三星电子(Samsung Electronics)挽救下滑业绩，全力冲刺半导体，传将力拼固态硬碟(SSD)事业。该公司拟在SSD采用3-bit V- NAND flash记忆体技术，提升储存效能，未来中国西安厂也会加入3-bit V-NAND flash晶片的量产行列。[/font][/color]
[color=#333333][font=Georgia,]BusinessKorea 10日引述业界人士报导，3-bit V-NAND flash储存效能更胜于平面(planar)NAND flash，用于SSD可提升表现、价格也更有竞争力。三星上月初已在首尔近郊的华城厂(Hwaseong)量产3-bit V-NAND flash，但是由于华城主要生产平面NAND flash， V-NAND晶片每月产量不到10万片。[/font][/color]
[color=#333333][font=Georgia,]为提高3-bit V-NAND flash供应量，据了解三星中国西安厂也着手准备量产，外界预期西安厂会在明年5、6月投产。西安厂每月生产30万-40万片V-NAND晶片，产能全开时，产量可增至70万片。 目前全球仅有三星有能力量产3D V-NAND flash，外界认为三星技术领先对手两年。该公司预定明年发表搭载3-bit V-NAND flash的SSD。IHSTechnology预估，今年三星SSD销售将年增60%至32.77亿美元，市占率可从去年的26%增至29%，稳居冠军。IHS认为亚军是SanDisk、市占率为19%，接着是英特尔(Intel)的18%，东芝 ( Toshiba )的9%、美光(Micron Technology)的8%。 韩联社报导，三星电子(Samsung Electronics)10月9日宣布量产业界首见的3-bit 3D记忆体V-NAND flash晶片，可用于SSD硬碟，提升储存效率。 新品每个记忆单元(cell)皆可储存3 bit数据，之前3-bit技术仅用于平面(planar)NAND flash，如今拓展用途，使用于3D V-NAND flash。新款3-bit 3D晶片采用第二代V-NAND技术，垂直堆叠32层，整合程度比24层晶片高出30%。[/font][/color]

三星电子的产品也越来越多了，更新速度非常快。

现在沿海的成本越来越高，大家都到内陆去发展了

三星就是价格高了点，其它都挺好的~
希望到中国量产过后价格会降低